project

合作計畫

科技部計畫 (近十年)

單位	計畫名稱	職務	期間	計畫經費
科技部	電荷擷取式3D NAND快閃記憶體可靠性量測及氮化矽內儲存電荷傳輸模擬	主持人	2016/8/1~2019/7/31	$3,950,000
科技部	一種七奈米以下具有單分子層量子侷限效應之二維電子通道材料的三維場效電晶體元件研究	共同主持人	2015/8/1~2018/7/31	$3,459,000
科技部	電阻式記憶體陣列內新式可靠性效應與物理機制、統計分析量測及三度空間可靠性模擬	主持人	2015/8/1~2018/7/31	$4,541,000
科技部	次10 奈米以下具有先進通道材料之非平面場效電晶體元件開發	共同主持人	2014/8/1~2015/7/31	$761,000
科技部	次10奈米電阻式隨機存取記憶體開發(3/3) (奈米國家型計劃)	共同主持人	2014/7/1~2015/6/30	$3,500,000
科技部	一種利用隨機電報雜訊量測方法對金屬矽化物能障降低製程所導致的接面缺陷之定量化探討	共同主持人	2013/8/1~2014/7/31	$735,000
科技部	單電荷與輻射效應在先進CMOS和SONOS 元件可靠性之統計量測與模式	主持人	2013/8/1~2016/7/31	$5,161,000
科技部	電阻式記憶元件操作特性與可靠性之統計測量及三度空間原子與電荷傳輸模擬	主持人	2013/8/1~2015/7/31	$2,945,000
科技部	一種利用隨機電報雜訊量測方法對金屬矽化物能障降低製程所導致的接面缺陷之定量化探討	共同主持人	2013/8/1~2014/7/31	$735,000
科技部	次10奈米電阻式隨機存取記憶體開發(2/3) (奈米國家型計劃)	共同主持人	2013/7/1~2014/6/30	$3,381,960
科技部	一種可應用於生物檢測之混合感測器/記憶體技術的奈米鰭式場效電晶體	共同主持人	2012/8/1~2013/7/31	$709,000
科技部	次10奈米電阻式隨機存取記憶體開發(1/3) (奈米國家型計劃)	共同主持人	2012/6/1~2015/5/31	$3,499,500
科技部	奈米SONOS元件內單電子效應，可靠性物理及創新研究	主持人	2010/8/1~2013/7/31	$3,934,000
科技部	量子線矽、鍺、砷化鎵奈米CMOS元件內電荷傳輸模擬與可靠性	主持人	2010/8/1~2013/7/31	$3,189,000
科技部	次32奈米CMOS元件可靠性分析，量子結構效應，與蒙地卡羅電荷傳輸模擬	主持人	2007/8/1~2010/7/31	$3,299,000
科技部	次50奈米二位元儲存氮化矽快閃式記憶體元件之結構、電荷傳輸與可靠性研究	主持人	2006/8/1~2009/7/31	$3,612,000
科技部	奈米CMOS元件量子效應與電荷傳輸模擬及電性與可靠性分析(3/3)	主持人	2004/8/1~2007/7/31	$1,118,000
科技部	奈米CMOS元件量子效應與電荷傳輸模擬及電性與可靠性分析(2/3)	主持人	2004/8/1~2007/7/31	$1,169,000
科技部	奈米CMOS元件量子效應與電荷傳輸模擬及電性與可靠性分析(1/3)	主持人	2004/8/1~2007/7/31	$1,434,400
科技部	雙位元儲存氮化矽快閃式記憶元件技術及可靠性(3/3)	主持人	2003/8/1~2006/7/31	$1,106,000
科技部	雙位元儲存氮化矽快閃式記憶元件技術及可靠性(2/3)	主持人	2003/8/1~2006/7/31	$972,400
科技部	雙位元儲存氮化矽快閃式記憶元件技術及可靠性(1/3)	主持人	2003/8/1~2006/7/31	$2,265,500

產學合作計畫 (近十年)

單位	計畫名稱	期間	計畫經費
UMC	RTN and NBTI induced ΔVt distribution and qualification	2012/8/1~2017/7/31	晶片製作
台積電	Random Telegraph Noise Physics, Characterization and 3D Atomistic Simulation in High-K Gate Dielectric CMOS	2010/8/1~2011/7/31	$900,000
台積電	矽鍺量子井通道元件中電洞傳輸之蒙地卡羅模擬	2008/3/10~2009/3/9	$750,000
立錡科技	耐高壓元件的可靠度模型及特性分析(High-Voltage Device Reliability Model and Characterization)	2007/10/1~2008/9/30	$1,200,000
台積電	Physics of Mobility Degradation in High-K Gate Dielectric MOSFETs(高介電係數CMOS元件內載子移動率之退化機制)	2007/1/1~2007/12/31	$600,000
台積電	Physically Based Comprehensive LDMOS Circuit Modeling-Including Noise and Self-Heating Effects (具有物理意義的LDMOS電路模型-包括雜訊與自我加熱效應)	2006/9/1~2007/8/31	$750,000
台積電	含金屬閘極與先進介電層奈米CMOS元件之物理與可靠性研究	2006/1/1~2006/12/31	$700,000
台積電	A Direct Extraction Apprach to SPICE Modeling and Self-Heating Effects in High-voltage 40V LDMOS Device	2005/7/1~2006/6/30	$750,000
台積電	鰭式金氧半場效電晶體	2005/2/1~2006/1/31	$1,000,000
台積電	Study of High -k Gate Dielectric Reliability and Trap Properties	2005/1/1~2005/12/31	$700,000
台積電	high voltage LDMOS device model and characterization	2004/1/1~2004/12/31	$700,000
台積電	超薄氧化層RF CMOS元件與SiGe HBT元件低頻雜訊之模式建立與特性分析	2004/1/1~2004/12/31	$600,000
台積電	射頻CMOS元件雜訊與可靠性研究	2003/1/1~2003/12/31	$800,000
矽統科技	射頻CMOS元件模式與Flicker Noise分析	2002/8/1~2003/7/31	$645,000